471-TT

471-TT是一款全新概念的直流测试仪，实现了晶圆制程中多颗芯片的同时测量。 该测试仪继承了TESEC在高电压和大电流测量技术方面的优势，通过同时测量多个芯片，与传统测试仪相比大大提高了生产率。 支持雪崩测量*1 的一次通过测试，以满足当今市场的需求。 (*1) 需要专用测量单元，仅适用于 8 并联型号。此外，根据测试条件和测量环境，它可能不适用。

431-TT

该测试系统旨在测量分立半导体器件的静态特性。 1.2KV/130A（CE 为 130 A）测量作为标准提供，可扩展至 2.2 kV / 65 A（CE 为 200 A）。使用可选单元，最大可测量 5 kV / 2000 A。 凭借其高通用性，该测试仪可用于各种应用，例如连接探测器时的晶圆测试和连接处理器时的最终测试。

530-IT

IPD/IPM 测试系统 530-IT 采用全新概念设计，将 IC 测试仪的理念融入 TESEC 多年积累的功率器件测量技术中。 它为 IPD/IPM 提供优化的测试解决方案，IPD/IPM 是逻辑 IC 和功率器件的融合，以及各种其他设备。

4408-KT

4408-KT 设计用于测量 GaN HEMT随 VGS 的温度变化 (ΔVGS) 的瞬态热阻特性。 测量值 VGS1 和 ΔVGS 值显示在前面板显示屏上。

4324-KT

KT 系列测试仪设计用于测量晶体管、二极管、MOSFET 和 IGBT 的热阻特性。 它还可以测量设备的安全工作区 (SOA)。 除了用于更准确测量的接触检查功能外，还配备了设备保护电路。

4602-LV

4602-LV 旨在通过监测电感负载的关断波形，根据波形如何通过 V-GATE、IH 和 IL 指定的安全工作区 (SOA) 来评估雪崩电阻。也可以测量 IH 指定电流值的 VDS(SUS)。 在以往的测量方法中，施加电流受施加电压的限制，而且MOSFET具有导通电阻越小，测量所需电流越大的特性；因此，该方法变得难以测量中等击穿电压（几十个电压）的MOSFET。 为了完成这项任务，增加了新的测量方法*来进行大电流测量，并且该测试仪可以施加的电压和电流分别增加到300 V和200 A，从而可以测量更广泛的设备。 *添加了 VD-OFF 模式以在雪崩时隔离 VD 电源，并添加了 Time-Trip 模式以在施加电流指定时间后关闭设备。

3430-SW

3430-SW用于测量IGBT/MOSFET器件的动态特性。 具备高速稳定低Ls高等特点，除通常动态测试项目外还具备测试RBSOA/SCSOR/RRSOA的能力。