471-TT

ウェーハ測定工程における複数チップ同時測定を実現した新しいコンセプトのDCテスタです。当社の強みである高電圧・大電流測定技術も継承しており、複数チップを同時測定することにより従来テスタに比べ大幅な生産性の向上を図ることができます。 また昨今の市場要求となるアバランシェ測定 （※１）のワンパス測定にも対応しました。 （※１）専用の測定ユニット（8パラレル限定）が必要となります。またテスト条件や測定環境により対応出来ない場合があります。

431-TT

個別半導体を中心とした素子の静特性を測定するテストシステムです。 メインフレームでは標準で1.2KV/65A(C-E間のみ130A)を印加する能力を持ち、2.2kV/65A(C-E間のみ200A)まで印加範囲を拡張する事が可能です。 また、オプションユニットを追加する事により5kV/1200Aまでの測定に対応する事が可能です。 プローバやハンドラ等の搬送装置と組み合わせて使用する事でウェーハテスト・ファイナルテスト等、様々な用途で使用する事ができる汎用性の高いテスタです。

530-IT

IPD/IPMテストシステム 530-ITはTESECが長年蓄積してきたパワーデバイス測定技術のDNAにICテスタの概念を取り入れた全く新しいコンセプトのテスタです。Logic ICとPower Deviceが融合したパワー半導体（IPD/IPM）をはじめ様々なデバイスを最適に測定する事が可能です。

4408-KT

GaN HEMTなどの過渡熱抵抗特性をVGSの温度変化（ΔVGS）として測定します。測定値VGS1およびΔVGS値をフロントパネルに表示します。

4324-KT

トランジスタ、ダイオード、MOSFET及びIGBTの過渡熱抵抗を測定するテスタです。安全動作領域（SOA)の測定も可能です。測定をより正確にするためのコンタクトチェックに加え、デバイス破壊防止の保護回路も装備しています。

4602-LV

誘導負荷におけるターンオフ時の波形を監視し、V-GATE、IH、ILで規定された安全領域（SOA)を通過するかを判定する事でアバランシェ耐量を評価するテスタです。更にIHで規定された電流値におけるVDS（SUS)値を測定します。また、MOS-FETの低ON抵抗化が進んだ事により測定時の印加電流が高くなる傾向があります。従来の測定方式では印加電流が印加電圧に制限されてしまう為、中耐圧品(数十V)では測定が困難となることがあります。新規測定方式（アバランシェ時にＶＤ電源を切り離すVD-OFFモード, 電流印加から指定時間経過後デバイスをターンオフするTime-Tripモード）を可能とすることで前述の大電流測定のご要求に応えました。加えて印加電圧、印加電流をそれぞれ300V、200Aと拡張し、より広範囲のデバイスのテストが可能になりました。

3430-SW

本機は、IGBT/MOSFETのダイナミック特性を高速に試験するためのテストシステムです。 3430-SW本体と各測定項目別に用意された測定ステーションを接続することで、最大4ステーションのパラレル測定が可能となります（標準2ステーション）。 1台のPCでテストシステム全体のコントロールを行ないます。

Fortia

テセックの測定技術と東京精密のコンタクト技術、幅広いアプリケーションが融合し、新たに開発したATi Unit(ACCRETECH TESEC Interface Unit)と多彩なオプションにより、お客様のデバイスにマッチした測定環境を提供します。